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CAS:12055-23-1丨 산화하프늄

분자식: HfO2
분자량: 210.49
아이넥스: 235-013-2
패키지:{{0}}.1g 0.25g 1g 5g 10g 25g
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제품 소개

제품 설명

이산화 하프늄은 밴드 갭이 넓고 유전율이 높은 세라믹 재료의 일종입니다. 최근 실리콘 기반 집적회로의 핵심인 금 케미컬북 산화물반도체전계효과관(MOSFET)의 게이트 절연막을 대체할 가능성이 높아 업계, 특히 마이크로일렉트로닉스 분야에서 큰 관심을 받고 있다. MOSFET에서 전통적인 SiO2/Si 구조 개발의 크기 제한 문제를 해결하기 위해.

금속 하프늄 및 하프늄 합금 원료 생산용. 내화물, 항방사성 코팅 및 촉매로 사용됩니다.

CAS:12055-23-1